Ta référence est bonne.
Je ne suis pas sûr d’avoir compris ta question. Dans la doc, on te dit que le Vgs ne doit pas dépasser plus ou moins 12V sous peine de destruction
La diode de roue libre doit être capable de supporter le courant qui passe dans la charge. Et en cas de PWM, elle doit être capable de commuter au moins aussi vite que tu fais commuter le courant
Je vais tester avec celle ci alors, sachant quel elle aussi à une protection supplémentaire si j’ai bien compris?
Je comprend pas la différence entre la tension indiquée Vds et Vgs au final.
Je commence à compendre, pfiou!
Merci pour votre temps!
Vds c’est la tension entre le drain et la source du transistor
Vgs c’est la tension entre la grille et la source. (la tension de commande)
Avec le courant de drain Id, il faut toujours regarder au moins ces caractéristiques là quand on choisit un MOS. Et dans ton cas, le Rds_on aussi est important : c’est la résistance équivalente de ton MOS lorsqu’il est passant. Car, qui dit résistance, dit pertes (Rds_on * Id²), donc échauffement !
J’avais plus ou moins compris le reste, du coup j’ai tout compris du moins j’espère, il me reste à définir cette diode de roue libre puis tester du coup!
Merci!
Pas de soucis, bon courage 